Công nghệ

Samsung phát triển bộ nhớ flash V-NAND lưu dữ liệu khổng lồ

Nhằm đáp ứng nhiệm vụ lưu trữ ngày càng tăng như hiện nay, Samsung đã giới thiệu công nghệ bộ nhớ flash V-NAND mới mẻ với năng lực lưu trữ khổng lồ.

Giải pháp lưu trữ V-NAND mang đến các bộ nhớ NAND dung lượng lên đến 2 TB - ẢNH: SAMSUNG

Theo SlashGear, flash NAND (viết tắt Not-AND) là loại bộ nhớ thể rắn phổ biến nhất được sử dụng hiện nay, có mặt trong cả smartphone lẫn SSD bên trong máy tính xách tay và máy tính để bàn. Với nhiều lợi ích, flash NAND nhận được sự quan tâm của cộng đồng thế giới công nghệ.

Giải pháp V-NAND mới của Samsung là sự kết hợp của công nghệ 3D-NAND có sẵn với các giải pháp khác, bao gồm công nghệ xếp chồng các lớp silicon để đạt được dung lượng lớn hơn mà không làm tăng diện tích như bộ nhớ 2D. Thông qua giải pháp này, Samsung đã sản xuất ra chip V-NAND 1 Tb (Terabit). Từ đó cho phép Samsung có thể sản xuất ra bộ nhớ NAND 2 TB (Terabye) bằng cách xếp chồng 16 chip nhớ 1 Tb.

Samsung cũng tiết lộ giải pháp SSD hoàn chỉnh có thể được sử dụng cho các hệ thống máy chủ. Ví dụ, thế hệ 16 TB NGSFF (Next Generation Small Form Factor) SSD mới có thể được sử dụng thay thế cho ổ M.2 thông thường trong các khay máy chủ 1U để cung cấp dung lượng lưu trữ dữ liệu lớn hơn ở cùng tốc độ hoặc thậm chí tốt hơn. Một máy chủ 1U có thể chứa 36 ổ SSD, như vậy nó có thể đạt khả năng lưu trữ lên đến 576 TB.

Ngoài ra Samsung còn ra mắt ổ Z-SSD mới được hứa hẹn cung cấp độ trễ thấp hơn so với ổ SSD NVMe nhanh nhất trên thị trường hiện nay.

Đây rõ ràng là những thành tựu đáng xem đến từ bộ phận bán dẫn của Samsung. Trong khi công ty Hàn Quốc nổi tiếng với các sản phẩm điện tử tiêu dùng thì bộ phận bán dẫn hiện đem lại rất nhiều lợi nhuận, cung cấp sự tăng trưởng ổn định sau từng quý.

Tác giả bài viết: Thành Luân

Nguồn tin: thanhnien.vn

Nguồn tham khảo: Báo Mới
LIKE (THÍCH) QUANGNINH24H.VN ĐỂ CẬP NHẬT TIN MỚI

CÓ THỂ BẠN QUAN TÂM

BÀI ĐỌC NHIỀU CÙNG CHUYÊN MỤC